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NESG2101M05-T1-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

NESG2101M05-T1-A
廠商型號(hào)

NESG2101M05-T1-A

功能描述

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification 125 mW

文件大小

172.81 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 9:31:00

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NESG2101M05-T1-A規(guī)格書詳情

NPN SiGe RF Transistor for Medium Output Power Amplification (125 mW)

Flat-Lead 4-Pin Thin-Type Super Minimold (M05)

FEATURES

? The device is an ideal choice for medium output power, high-gain amplification and low distortion, low noise, high-gain amplification

? PO (1 dB) = 21 dBm TYP. @ VCE = 3.6 V, ICq = 10 mA, f = 2 GHz

? NF = 0.6 dB TYP., Ga = 19.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 7 mA, f = 1 GHz

? Maximum stable power gain: MSG = 17.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 50 mA, f = 2 GHz

? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V

? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NESG2101M05-T1-A

  • 功能描述:

    射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS
24+
SOT343
36000
一級(jí)代理/全新現(xiàn)貨/長(zhǎng)期供應(yīng)!
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只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨.假一罰十
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RENESAS/瑞薩
23+
SOT-343
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NEC
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SOT-343
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SOT-343
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RENESAS
24+
SOT343
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只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增
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SOT-343
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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SOT343
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