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NESG2021M05-A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
NESG2021M05-A |
| 功能描述 | NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification |
| 文件大小 |
159.35 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-7-15 22:58:00 |
| 人工找貨 | NESG2021M05-A價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NESG2021M05-A規(guī)格書詳情
FEATURES
? This device is an ideal choice for low noise, high-gain at low current amplifications.
? NF = 0.9 dB TYP., Ga = 18.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz
? NF = 1.3 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 5.2 GHz
? Maximum stable power gain: MSG = 22.5 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 10 mA, f = 2 GHz
? High breakdown voltage technology for SiGe Tr. adopted: VCEO (absolute maximum ratings) = 5.0 V
? Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05) package
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
NESG2021M05-A
- 功能描述：
射頻硅鍺晶體管 NPN SiGe High Freq
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies 發(fā)射極 - 基極電壓
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
2016+ |
SOT343 |
3500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
NEC |
0746+ |
SOT343 |
753 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SOT343 |
20000 |
全新原廠原裝，進(jìn)口正品現(xiàn)貨，正規(guī)渠道可含稅?。?/div> |
詢價(jià) | ||
NEC |
20+ |
SOT343 |
32970 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價(jià) | ||
NEC |
08+ |
SOT343 |
480 |
詢價(jià) | |||
CEL |
23+ |
SOT343 |
999999 |
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SOT-343 |
27000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
SOT23 |
3000 |
原裝正品,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
Sot/343 |
7000 |
絕對(duì)全新原裝!100%保質(zhì)量特價(jià)!請(qǐng)放心訂購(gòu)! |
詢價(jià) |
