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NE94433-T1B-A數(shù)據(jù)手冊分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號

NE94433-T1B-A

參數(shù)屬性

NE94433-T1B-A 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANSISTOR NPN OSC FT=2GHZ SO

功能描述

RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23
TRANSISTOR NPN OSC FT=2GHZ SO

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

CEL California Eastern Labs

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-11 19:26:00

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NE94433-T1B-A規(guī)格書詳情

簡介

NE94433-T1B-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由制造生產(chǎn)的NE94433-T1B-A晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :NE94433-T1B-A

  • 生產(chǎn)廠家

    :CEL

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)

    :15V

  • 頻率 - 躍遷

    :2GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值)

    :-

  • 增益

    :-

  • 功率 - 最大值

    :150mW

  • 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值)

    :50 @ 5mA,10V

  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)

    :50mA

  • 工作溫度

    :125°C(TJ)

  • 安裝類型

    :表面貼裝

  • 封裝/外殼

    :TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :SOT-23

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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