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NE85619-T1分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
NE85619-T1 |
參數屬性 | NE85619-T1 封裝/外殼為SOT-523;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523 |
功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
封裝外殼 | SOT-523 |
文件大小 |
831.88 Kbytes |
頁面數量 |
26 頁 |
生產廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡稱 |
CEL |
中文名稱 | California Eastern Labs官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-8-4 23:00:00 |
人工找貨 | NE85619-T1價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NE85619-T1規(guī)格書詳情
NE85619-T1屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由California Eastern Labs制造生產的NE85619-T1晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件,用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP,特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。
產品屬性
更多- 產品編號:
NE85619-T1
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
12V
- 頻率 - 躍遷:
4.5GHz
- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):
1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
- 增益:
6.5dB ~ 12.5dB
- 功率 - 最大值:
100mW
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 20mA,10V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SOT-523
- 供應商器件封裝:
SOT-523
- 描述:
RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
NA/ |
3000 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
量大可定RENESAS |
20+ |
SOT423 |
49000 |
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票 |
詢價 | ||
NEC |
24+ |
SOT423 |
80000 |
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詢價 | ||
NEC |
1822+ |
SOT323 |
6852 |
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詢價 | ||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進口原裝 終端工廠免費送樣 |
詢價 | ||
CEL |
24+ |
原廠原封 |
4000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-423 |
63000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NEC(VA) |
23+ |
原廠封裝 |
13528 |
振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價 | ||
CEL |
25+ |
SOT-523 |
9350 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經營 免費試樣正品保證 |
詢價 | ||
NE85630 |
817 |
817 |
詢價 |