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NE850R59數(shù)據(jù)手冊CEL中文資料規(guī)格書

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廠商型號

NE850R59

功能描述

C-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

制造商

CEL California Eastern Labs

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-15 16:37:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    NE850R59

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 0.5W C-Band MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術(shù)類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導(dǎo)

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NECELECTRON
6000
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