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NE721S01-T1B中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
NE721S01-T1B |
| 功能描述 | GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
| 文件大小 |
32.97 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NEC |
| 中文名稱 | 瑞薩 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-7 16:05:00 |
| 人工找貨 | NE721S01-T1B價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE721S01-T1B規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE721S01 is a low cost 0.8 μm recessed gate GaAs MESFET, suitable for both amplifier and oscillator applications. Larger gate geometry make this device ideal for second and third stages of low noise amplifiers operating in the 1-12 GHz frequency range. The NE721S01 is fabricated with an epitaxial process resulting in excellent phase noise in oscillator applications up to 14 GHz. NECs latest high performance/low cost plastic packaging technology make the NE721S01 suitable for GPS, TVRO, DBS, PRD and other commercial applications.
FEATURES
? HIGH POWER GAIN: 7 dB TYP at 12 GHz
? HIGH OUTPUT POWER: 15 dBm TYP at 12 GHz
? LG = 0.8 μm, WG = 330 μm
? LOW PHASE NOISE: -110 dBc/Hz TYP at 100 KHz offset at f = 12 GHz
? LOW COST PLASTIC PACKAGE
產(chǎn)品屬性
- 型號：
NE721S01-T1B
- 制造商：
NEC
- 制造商全稱：
NEC
- 功能描述：
GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SOT343 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SOT343 |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
NEC |
17+ |
SOT343 |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
21+ |
343 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
NEC |
2450+ |
SOT343 |
6540 |
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詢價(jià) | ||
原廠正品 |
23+ |
SOT343 |
7430 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
NEC |
23+ |
SOT343 |
90000 |
一定原裝深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SOT-343SOT-323-4 |
36200 |
新進(jìn)庫存/原裝 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SOT-343 |
80000 |
只做自己庫存 全新原裝進(jìn)口正品假一賠百 可開13%增 |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
SOT-343 |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) |
