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NE662M04-T2-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION NECsNE662M04isfabricatedusingNECsUHS025GHzfTwaferprocess.Withatypicaltransitionfrequencyof25GHztheNE662M04isusableinapplicationsfrom100MHzto10GHz.TheNE662M04providesexcellentlowvoltage/lowcurrentperformance. NECsnewlowprofile/flatleadstyle

CEL

California Eastern Labs

NE662M04-T2-A

Package：SOT-343F；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

CEL

California Eastern Labs

NE662M04-T2

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

DESCRIPTION NECsNE662M04isfabricatedusingNECsUHS025GHzfTwaferprocess.Withatypicaltransitionfrequencyof25GHztheNE662M04isusableinapplicationsfrom100MHzto10GHz.TheNE662M04providesexcellentlowvoltage/lowcurrentperformance. NECsnewlowprofile/flatleadstyle

CEL

California Eastern Labs

NE662M04-T2

NPNSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR

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NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NE662M04-T2-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    3.3V

  • 頻率 - 躍遷：

    25GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.1dB @ 2GHz

  • 增益：

    18dB

  • 功率 - 最大值：

    115mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 5mA，2V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    35mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-343F

  • 描述：

    RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS/瑞薩
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SOT343
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RENESAS/瑞薩原裝特價NE662M04-T2-A即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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California Eastern Labs
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更多NE662M04-T2-A供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 14:14:00

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