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NE6500379A-T1
廠商型號

NE6500379A-T1

功能描述

3W, L/S-BAND MEDIUM POWER GaAs MESFET

文件大小

162.42 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產廠商

CEL California Eastern Labs

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更新時間

2025-8-6 18:28:00

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DESCRIPTION

NECs NE6500379A is a 3 W GaAs MESFET designed for medium power Fixed Wireless Access, ISM, WLL, PCS, IMT-2000, and return path MMDS transmitter applications. It is capable of delivering 3 Watts of output power with high linear gain, high efficiency and excellent linearity. Reliability and performance uniformity are assured by NECs stringent quality and control procedures

FEATURES

? LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE Available on Tape and Reel

? USABLE TO 2.7 GHz: Fixed Wireless Access, ISM, WLL, MMDS, IMT-2000, PCS

? HIGH OUTPUT POWER: 35 dBm TYP

? HIGH LINEAR GAIN: 10 dB TYP at 1.9 GHz

? LOW THERMAL RESISTANCE: 5 C/W

產品屬性

  • 型號:

    NE6500379A-T1

  • 功能描述:

    射頻GaAs晶體管 L&S Band GaAs MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型:

    pHEMT

  • 頻率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪聲系數(shù):

    正向跨導

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓:

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    3 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
0546+
十字架
615
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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NEC
2138+
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NEC
04+PB
3M
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23+
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NECELECTRON
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