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NE5550279A-T1A中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE5550279A-T1A
廠商型號

NE5550279A-T1A

功能描述

Silicon Power LDMOS FET

文件大小

470.92 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-7 23:00:00

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NE5550279A-T1A規(guī)格書詳情

FEATURES

? High Output Power : Pout = 33.0 dBm TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)

? High power added efficiency : ηadd = 68 TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 15 dBm)

? High Linear gain : GL = 22.5 dB TYP. (VDS = 7.5 V, IDset = 40 mA, f = 460 MHz, Pin = 0 dBm)

? High ESD tolerance

? Suitable for VHF to UHF-BAND Class-AB power amplifier.

APPLICATIONS

? 150 MHz Band Radio System

? 460 MHz Band Radio System

? 900 MHz Band Radio System

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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