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NE5517DR2G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE5517DR2G
廠商型號

NE5517DR2G

功能描述

Dual Operational Transconductance Amplifier

文件大小

183.05 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 11:20:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE5517DR2G

  • 功能描述:

    跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 通道數(shù)量:

    1

  • 封裝/箱體:

    SOIC-14

  • 輸入補(bǔ)償電壓:

    40 mV at +/- 5 V

  • 電源電壓-最大:

    +/- 5 V

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 最小工作溫度:

    - 40 C

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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