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NE5517DR2G_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp匯萊威一部

NE5517DR2G

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  • 廠家型號(hào)：

    NE5517DR2G

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    13500

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOP16

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-28 17:06:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：NE5517DR2G品牌：ON

免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系

  • 芯片型號(hào)：

    NE5517DR2G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    15 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    183.05 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Dual Operational Transconductance Amplifier

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    NE5517DR2G

  • 功能描述：

    跨導(dǎo)放大器 Transconductance Dual Commercial Temp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 通道數(shù)量：

    1

  • 封裝/箱體：

    SOIC-14

  • 輸入補(bǔ)償電壓：

    40 mV at +/- 5 V

  • 電源電壓-最大：

    +/- 5 V

  • 最大工作溫度：

    + 85 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機(jī)：

    18126328660

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82767689

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503

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