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NE5511279A-T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NE5511279A-T1
廠商型號(hào)

NE5511279A-T1

參數(shù)屬性

NE5511279A-T1 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG

功能描述

NECS 7.5 V UHF BAND RF POWER SILICON LD-MOS FET

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

99.77 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

NEC

中文名稱

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-9-5 17:53:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE5511279A-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    900MHz

  • 增益:

    15dB

  • 額定電流(安培):

    3A

  • 功率 - 輸出:

    40dBm

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    79A

  • 描述:

    FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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