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NE3521M04分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3521M04
廠商型號

NE3521M04

參數(shù)屬性

NE3521M04 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

功能描述

N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

653.66 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

CEL California Eastern Labs

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 23:00:00

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NE3521M04規(guī)格書詳情

NE3521M04屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3521M04晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NE3521M04-T2-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    N 溝道 GaAs HJ-FET

  • 頻率:

    20GHz

  • 增益:

    11dB

  • 額定電流(安培):

    70mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.85dB

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 描述:

    IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI

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