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NE3503M04-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3503M04-A
廠商型號(hào)

NE3503M04-A

參數(shù)屬性

NE3503M04-A 封裝/外殼為SOT-343F;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 4V 12GHZ M04

功能描述

NECs C TO Ku BAND SUPER LOW NOISE AND HIGH-GAIN AMPLIFIER N-CHANNER HJ-FET
FET RF 4V 12GHZ M04

封裝外殼

SOT-343F

文件大小

394.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
CEL
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-3 23:00:00

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NE3503M04-A規(guī)格書詳情

NE3503M04-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3503M04-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NE3503M04-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    12GHz

  • 增益:

    12dB

  • 額定電流(安培):

    70mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.45dB

  • 封裝/外殼:

    SOT-343F

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M04

  • 描述:

    FET RF 4V 12GHZ M04

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NEC
24+
NA/
3871
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開票
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NEC
2016+
SOT343
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NEC
09+PBF
SOT343
621
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù)
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NEC
2016+
SOT343
6528
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NEC
21+
09+
12588
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十
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23+
原廠原包
19960
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NEC
22+
SOT343
25000
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CEL
2022+
M04
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