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NE25339-T1中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NE25339-T1
廠商型號

NE25339-T1

功能描述

GENERAL PURPOSE DUAL-GATE GaAs MESFET

文件大小

48.5 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
NEC
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-1 18:39:00

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產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NE25339-T1

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY CEL 7/01 SOT-143 DL GT MESFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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