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PJM02N60SA

N-EnhancementModeFieldEffectTransistor

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半導體東莞市平晶半導體科技有限公司

SDU02N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

SDUD02N60

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

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FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    NDF02N60ZG

  • 功能描述：

    MOSFET 4.8 OHM 600V TO-220FP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NDF02N60ZG供應商 更新時間2025-7-28 14:14:00

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