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NDD02N60Z數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

NDD02N60Z

功能描述

功率 MOSFET,600V,2.2A,4.8Ω,單 N 溝道,DPAK

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-20 23:01:00

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NDD02N60Z規(guī)格書詳情

描述 Description

功率 MOSFET,600V,4.8Ω,單 N 溝道

特性 Features

? Low ON Resistance
? Low Gate Charge
? 100% Avalanche Tested
? This Device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
? ESD diode-protected gate

應用 Application

Adapter (Notebook, Printer, Gaming) LCD Panel Power Lighting Ballasts

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    NDD02N60Z

  • 功能描述:

    MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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