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PMEG6030EP

60V,3AlowVFSchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A ?Reversevoltage:VR≤6

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安世安世半導體(中國)有限公司

PMEG6030EP-Q

60V,3AlowVFSchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A ?Reversevoltage:VR≤6

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安世安世半導體(中國)有限公司

PMEG6030ETP

High-temperature60V,3ASchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A ?Reversevoltage:VR≤6

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安世安世半導體(中國)有限公司

PMEG6030ETP-Q

High-temperature60V,3ASchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A ?Reversevoltage:VR≤6

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安世安世半導體(中國)有限公司

PMEG6030EVP

60V,3ASchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A ?Reversevoltage:VR≤6

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PMEG6030EVP-Q

60V,3ASchottkybarrierrectifier

1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Averageforwardcurrent:IF(AV)≤3A ?Reversevoltage:VR≤6

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安世安世半導體(中國)有限公司

R6030ENX

Nch600V30APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6030ENX

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

R6030ENZ

Nch600V30APowerMOSFET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

R6030ENZ

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

詳細參數

  • 型號：

    NDB6030L

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
24+
TO-263AB
7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現貨庫存。
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ON/安森美
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TO-263
505348
免費送樣原盒原包現貨一手渠道聯(lián)系
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原裝現貨海量庫存歡迎咨詢
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580
原裝進口特價供應 特價，原裝元器件供應，支持開發(fā)樣品 更多詳細咨詢 庫存
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