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NCV8440ASTT1G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCV8440ASTT1G
廠商型號

NCV8440ASTT1G

功能描述

Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N?Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection

文件大小

173.41 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-12 20:57:00

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NCV8440ASTT1G規(guī)格書詳情

特性 Features

? Diode Clamp Between Gate and Source

? ESD Protection ? Human Body Model 5000 V

? Active Over?Voltage Gate to Drain Clamp

? Scalable to Lower or Higher RDS(on)

? Internal Series Gate Resistance

? These are Pb?Free Devices

Benefits

? High Energy Capability for Inductive Loads

? Low Switching Noise Generation

Applications

? Automotive and Industrial Markets:

Solenoid Drivers, Lamp Drivers, Small Motor Drivers

? NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q100

Qualified and PPAP Capable

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NCV8440ASTT1G

  • 功能描述:

    MOSFET 2.6A, 52V N-CH, CLAM

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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