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NCV33152DR2集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NCV33152DR2 |
| 參數(shù)屬性 | NCV33152DR2 封裝/外殼為8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）；包裝為卷帶（TR）；類別為集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器；產(chǎn)品描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC |
| 功能描述 | HIGH SPEED DUAL MOSFET DRIVERS |
| 封裝外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 文件大小 |
151.08 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-6 17:32:00 |
| 人工找貨 | NCV33152DR2價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NCV33152DR2規(guī)格書詳情
NCV33152DR2屬于集成電路（IC）的柵極驅(qū)動器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NCV33152DR2柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能，這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備（通常為 FET 或 IGBT）。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同，但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NCV33152DR2
- 制造商：
onsemi
- 類別：
集成電路（IC） > 柵極驅(qū)動器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 驅(qū)動配置：
低端
- 通道類型：
獨立式
- 柵極類型：
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電：
6.1V ~ 18V
- 邏輯電壓?- VIL，VIH：
0.8V，2.6V
- 電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：
1.5A，1.5A
- 輸入類型：
非反相
- 上升/下降時間（典型值）：
36ns，32ns
- 工作溫度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
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