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NCP81080DR2G集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

NCP81080DR2G
廠商型號(hào)

NCP81080DR2G

參數(shù)屬性

NCP81080DR2G 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

High Performance Dual MOSFET Gate Driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

146.45 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-10 9:48:00

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NCP81080DR2G規(guī)格書(shū)詳情

NCP81080DR2G屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NCP81080DR2G柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NCP81080DR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    同步

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    5.5V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.2V,1.8V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    500mA,800mA

  • 輸入類型:

    TTL

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    19ns,17ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 140°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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