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NCP5183DR2G集成電路(IC)的柵極驅動器規(guī)格書PDF中文資料

NCP5183DR2G
廠商型號

NCP5183DR2G

參數(shù)屬性

NCP5183DR2G 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅動器;產品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

功能描述

High Voltage High Current High and Low Side Driver
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

344.57 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-2 23:00:00

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NCP5183DR2G規(guī)格書詳情

NCP5183DR2G屬于集成電路(IC)的柵極驅動器。由安森美半導體公司制造生產的NCP5183DR2G柵極驅動器柵極驅動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉換應用中控制設備的信號連接到電源被控制通過的半導體設備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅動的半導體配置相關。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    NCP5183DR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅動器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅動配置:

    半橋

  • 通道類型:

    獨立式

  • 柵極類型:

    N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    9V ~ 18V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    1.2V,2.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    4.3A,4.3A

  • 輸入類型:

    非反相

  • 上升/下降時間(典型值):

    12ns,12ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
onsemi(安森美)
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