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NCP5181DR2G 集成電路(IC)柵極驅(qū)動器 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
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原廠料號:NCP5181DR2G品牌:ON
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NCP5181DR2G是集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)的NCP5181DR2G柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NCP5181DR2G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 驅(qū)動配置:
半橋
- 通道類型:
獨立式
- 柵極類型:
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
10V ~ 20V
- 邏輯電壓?- VIL,VIH:
0.8V,2.3V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
1.4A,2.2A
- 輸入類型:
非反相
- 上升/下降時間(典型值):
40ns,20ns
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
供應(yīng)商
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