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NCE2030中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCE2030
廠商型號

NCE2030

功能描述

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

NCE2030

封裝外殼

TO-220-3L

文件大小

404.35 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

NCEPOWER Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名稱

無錫新潔能股份 無錫新潔能股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 15:52:00

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NCE2030規(guī)格書詳情

描述 Description

The NCE2030 uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It

can be used in a wide variety of applications.

General Features

● VDS =20V,ID =30A

RDS(ON) <12mΩ @ VGS=10V (Typ:10.5mΩ)

RDS(ON) <13mΩ @ VGS=4.5V (Typ:11mΩ)

RDS(ON) <18mΩ @ VGS=2.5V (Typ:14mΩ)

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high EAS

● Excellent package for good heat dissipation

● Special process technology for high ESD capability

Application

● Power switching application

● Load switching

● Uninterruptible power supply

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VB
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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