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NCD5705BDR2G集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料

NCD5705BDR2G
廠商型號

NCD5705BDR2G

參數(shù)屬性

NCD5705BDR2G 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:GATE DRIVER WITH LOW UVLO THRESH

功能描述

High Current IGBT Gate Drivers
GATE DRIVER WITH LOW UVLO THRESH

封裝外殼

8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

文件大小

668.48 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-2 20:00:00

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NCD5705BDR2G規(guī)格書詳情

NCD5705BDR2G屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NCD5705BDR2G柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

The NCV/NCD5705B is a high?current, high?performance

stand?alone IGBT driver for high power automotive applications that

include PTC heaters, traction inverters, high voltage DC?DC and

other auxiliary subsystems. The device offers a cost?effective

solution by eliminating external output buffer. Device’s protection

features include accurate Under?voltage?lockout (UVLO),

desaturation protection (DESAT) and Active open?drain FAULT

output. The driver also features an accurate 5.0 V output. The driver is

designed to accommodate a wide voltage range of bias supplies

including unipolar and even bipolar voltages. NCV5705B is available

in 8?pin SOIC package.

特性 Features

? High Current Output (+4/?6 A) at IGBT Miller Plateau Voltages

? Low Output Impedance for Enhanced IGBT Driving

? Short Propagation Delay with Accurate Matching

? Direct Interface to Digital Isolator/Opto?coupler/Pulse Transformer

for Isolated Drive, Logic Compatibility for Non?isolated Drive

? DESAT Protection with Programmable Delay

? Tight UVLO Thresholds for Bias Flexibility

? Wide Bias Voltage Range

? This Device is Pb?Free, Halogen?Free and RoHS Compliant

? Negative Output Voltage for Enhanced IGBT Driving

? NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q100

Qualified and PPAP Capable

Typical Applications

? PTC Heaters

? Traction Inverters

? HV DC?DC

? OBC

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NCD5705BDR2G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    半橋

  • 通道類型:

    單路

  • 柵極類型:

    IGBT

  • 電壓 - 供電:

    20V(最大)

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    0,5V,4,5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    4A,6A

  • 輸入類型:

    反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    9.2ns,7.9ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SOIC

  • 描述:

    GATE DRIVER WITH LOW UVLO THRESH

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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