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NAND04GR3B2DN6E

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

NUMONYX

numonyx

NAND04GR3B2DN6E

Package:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬);包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

NAND04GR3B2DN6F

4Gbit,8Gbit,2112byte/1056wordpagemultiplanearchitecture,1.8Vor3V,NANDFlashmemories

NUMONYX

numonyx

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NAND04GR3B2DN6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量:

    4Gb(512M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    48-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多NAND04GR3B2DN6E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-18 10:03:00