首頁>NAND01GW3B2BZA6E>規(guī)格書詳情
NAND01GW3B2BZA6E集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NAND01GW3B2BZA6E |
| 參數(shù)屬性 | NAND01GW3B2BZA6E 封裝/外殼為63-TFBGA；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| 功能描述 | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
| 封裝外殼 | 63-TFBGA |
| 文件大小 |
711.53 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
62 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-16 8:25:00 |
| 人工找貨 | NAND01GW3B2BZA6E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
相關(guān)芯片規(guī)格書
更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
NAND01GW3B2BZA6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
管件
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
閃存
- 技術(shù)：
閃存 - NAND
- 存儲容量：
1Gb（128M x 8）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
30ns
- 電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
63-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝：
63-VFBGA（9x11）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TSSOP |
90000 |
一定原裝房間現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Micron |
2022+ |
原廠原包裝 |
8600 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
ST |
2020+ |
BGA |
503 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
BGA |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Micron Technology Inc. |
21+ |
6-WFBGA,CSPBGA |
5280 |
進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營 |
詢價 | ||
STMICROELEC |
24+ |
原封裝 |
1580 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價 | ||
MICRON |
1140+ |
BGA |
13486 |
只做原廠原裝,認(rèn)準(zhǔn)寶芯創(chuàng)配單專家 |
詢價 | ||
大內(nèi)存 |
5000 |
詢價 | |||||
MRON/美光 |
24+ |
NA/ |
3271 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
ST |
2016+ |
TSSOP48 |
3500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價 |
