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NAND01GR3B2C數(shù)據(jù)手冊集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
NAND01GR3B2C |
| 參數(shù)屬性 | NAND01GR3B2C 封裝/外殼為63-TFBGA；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| 功能描述 | 1-Gbit, 2112-byte/1056-word page,1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory |
| 封裝外殼 | 63-TFBGA |
| 制造商 | Micron Micron Technology |
| 中文名稱 | 鎂光 美國鎂光科技有限公司 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-11 19:00:00 |
| 人工找貨 | NAND01GR3B2C價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
技術(shù)參數(shù)
- 產(chǎn)品編號：
NAND01GR3B2CZA6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲器
- 包裝：
管件
- 存儲器類型：
非易失
- 存儲器格式：
閃存
- 技術(shù)：
閃存 - NAND
- 存儲容量：
1Gb（128M x 8）
- 存儲器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字，頁：
25ns
- 電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
63-TFBGA
- 供應商器件封裝：
63-VFBGA（9.5x12）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
QFN |
20000 |
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ST |
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BGA |
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STM |
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VFBGA63 |
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STM |
23+ |
VFBGA63 |
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ST |
23+ |
QFN |
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NUMONYX |
23+ |
原廠封裝 |
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振宏微原裝正品,假一罰百 |
詢價 |
