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N0300P-T1B-AT	文件：262.7 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheN0300Pisaswitchingdevicewhichcanbedrivendirectlyby a4.5Vpowersource. Thedevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellent switchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchas powerswitc	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
N0300P-T1B-AT	文件：484.32 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested APPLICATIONS ?ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
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N0300P-T1B-AT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個描述：TRANSISTOR	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
OZRA0300FF	文件：334.42 Kbytes Page：2 Pages	RadialLeadedPTC	bel Bel Fuse Inc.	bel
P0300A	文件：201.71 Kbytes Page：4 Pages	Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微電江蘇捷捷微電子股份有限公司	JIEJIE
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P0300DM	文件：2.90116 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge Quickresponsetosurgevoltage(nsLevel) Eliminatesovervoltagecausedbyfastrisingtransients Moisturesensitivitylevel:Level1 Weight69mg(approximate) Nondegenerative ResponseTimeis	UNSEMIUN Semiconducctor INC 優(yōu)恩半導體深圳市優(yōu)恩半導體有限公司	UNSEMI
P0300DM	文件：1.03079 Mbytes Page：4 Pages	PxxxxDMseriesthyristorsareatypeofsemi-conductcomponent. DESCRIPTION: PxxxxDMseriesthyristorsareatypeofsemi-conductcomponent. Theyaredesignedtoprotectbasebandequipmentfromdamagingovervoltagetransients. suchasmodems,telephones,linecards,answering machines,FAXmachines,T1/E1,xDSLandmore. FEATURES: ?Excellentcapabilit	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 順燁電子江蘇順燁電子有限公司	SY

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