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N0300N-T1B-AT中文資料瑞薩數據手冊PDF規(guī)格書

N0300N-T1B-AT
廠商型號

N0300N-T1B-AT

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

259.769 Kbytes

頁面數量

8

生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網

原廠標識
RENESAS
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-2 23:00:00

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N0300N-T1B-AT規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The N0300N is a switching device which can be driven directly by a 4.5 V power source.

The device features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

FEATURES

? 4.5 V drive available

? Low on-state resistance

RDS(on)1 = 50 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)

RDS(on)2 = 83 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.0 A)

? Built-in gate protection diode

產品屬性

  • 型號:

    N0300N-T1B-AT

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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