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MZ0912B50Y分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MZ0912B50Y |
| 參數(shù)屬性 | MZ0912B50Y 封裝/外殼為SOT-443A；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 |
| 功能描述 | NPN microwave power transistor |
| 封裝外殼 | SOT-443A |
| 文件大小 |
90.73 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Philips Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
PHI【飛利浦】 |
| 中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-28 16:49:00 |
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MZ0912B50Y規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT443A metal ceramic flange package with base connected to flange. It is mounted in common base configuration, and specified in class C.
FEATURES
? Interdigitated structure provides high emitter efficiency
? Diffused emitter ballasting resistors providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR
? Gold metallization realizes very stable characteristics and excellent lifetime
? Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance
? Input and output matching cell allows an easier design of circuits.
APPLICATIONS
Common base, class C, broadband, pulse power amplifier from 960 to 1215 MHz for TACAN application.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MZ0912B50Y,114
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
20V
- 頻率 - 躍遷：
1.215GHz
- 增益：
8dB
- 功率 - 最大值：
150W
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
3A
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
SOT-443A
- 供應商器件封裝：
CDFM2
- 描述：
RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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