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MX043J中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MX043J
廠商型號(hào)

MX043J

功能描述

RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件大小

183.1 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MICROSEMI美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
MICROSEMI
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-1 15:01:00

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MX043J規(guī)格書詳情

特性 Features

? Harris FSC260R die

? total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits

? dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80BVDSS typical

? dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID £IDM typical

? neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits

? photocurrent: 17 nA/RAD(Si)/sec typical

? rated Safe Operating Area Curve for Single event Effects

? rugged polysilicon gate cell structure with ultrafast body diode

? low inductance surface mount power package available with “J-leads” (MX043J) or “gullwing-leads” (MX043G)

? very low thermal resistance

? reverse polarity available upon request add suffix “R”st

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MX043J

  • 制造商:

    MICROSEMI

  • 制造商全稱:

    Microsemi Corporation

  • 功能描述:

    RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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