MX043J中文資料美高森美數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
MX043J |
功能描述 | RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
文件大小 |
183.1 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
MICROSEMI【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-1 15:01:00 |
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MX043J規(guī)格書詳情
特性 Features
? Harris FSC260R die
? total dose: 100 kRAD(Si) within pre-radiation parameter limits
? dose rate: 3 x 109RAD(Si)/sec @ 80BVDSS typical
? dose rate: 2 x 1012RAD(Si)/sec @ ID £IDM typical
? neutron: 1013 neutrons/cm2 within pre-radiation parameter limits
? photocurrent: 17 nA/RAD(Si)/sec typical
? rated Safe Operating Area Curve for Single event Effects
? rugged polysilicon gate cell structure with ultrafast body diode
? low inductance surface mount power package available with “J-leads” (MX043J) or “gullwing-leads” (MX043G)
? very low thermal resistance
? reverse polarity available upon request add suffix “R”st
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
MX043J
- 制造商:
MICROSEMI
- 制造商全稱:
Microsemi Corporation
- 功能描述:
RADIATION HARDENED SEGR-RESISTANT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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PLEXUS |
22+ |
DIP4 |
18000 |
只做全新原裝,支持BOM配單,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
PLEXUS |
2447 |
DIP4 |
100500 |
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CTS |
25+ |
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18+ |
DIP4 |
34971 |
全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開增值稅發(fā)票 |
詢價(jià) | ||
MX045-50.0MHZ |
14 |
14 |
詢價(jià) | ||||
PLEXUS |
24+ |
DIP4 |
2789 |
原裝優(yōu)勢(shì)!絕對(duì)公司現(xiàn)貨! |
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2017+ |
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PLEXUS |
2020+ |
DIP-4 |
40 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) |