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MW6S010GNR1中文資料數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MW6S010GNR1
廠商型號

MW6S010GNR1

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

文件大小

802.16 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-9 18:57:00

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450-1500 MHz, 10 W, 28 V LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs

Designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 1500 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.

? Typical Two-Tone Performance at 960 MHz: VDD = 28 Volts, IDQ = 125 mA, Pout = 10 Watts PEP

Power Gain — 18 dB

Drain Efficiency — 32

IMD — -37 dBc

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 960 MHz, 10 Watts CW Output Power

特性 Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? On-Chip RF Feedback for Broadband Stability

? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? 225°C Capable Plastic Package

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 24 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MW6S010GNR1

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 HV6 900MHZ 10W

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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