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PD20010S-E

RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

PD20010STR-E

RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

PD20010TR-E

RFpowertransistor,LdmoSTplasticfamilyN-channelenhancement-modelateralMOSFETs

Description ThePD20010-EisacommonsourceN-Channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat13.6Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD20010-Eboaststheexcell

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

PNE20010ER

200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PNE20010ER-Q

200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier

1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinasmallandflatleadSOD123WSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?ReversevoltageVR≤200V ?ForwardcurrentIF≤1A ?Hyp

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PNE20010EXD

200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier

1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinaCFP2-HP(SOD323HP)powerandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:I

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PNE20010EXD-Q

200V,1Ahyperfastrecoveryrectifier

1.Generaldescription Highpowerdensity,hyperfastrecoveryrectifierwithhigh-efficiencyplanartechnology, encapsulatedinaCFP2-HP(SOD323HP)powerandflatleadSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Reversevoltage:VR≤200V ?Forwardcurrent:I

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

STD-20010T

ADAPTER-18W

VOLGEN

Volgen America/Kaga Electronics USA

T-20010

SCRTriggerandControlTransformers

RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

UFT20010

UltrafastRecoveryModules

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MURF20010R

  • 制造商：

    GeneSiC Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 陣列

  • 包裝：

    散裝

  • 二極管配置：

    1 對共陽極

  • 二極管類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io)（每二極管）：

    100A

  • 速度：

    快速恢復(fù) =< 500ns，> 200mA（Io）

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 150°C

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    TO-244AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-244

  • 描述：

    DIODE MODULE 100V 100A TO244

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
GeneSiC
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N/A
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NA
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GeneSiC Semiconductor
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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GeneSiC Semiconductor
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全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨
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TO-220F
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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FUJITSU/富士通
23+
TO-220F-2
16319
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價(jià)格優(yōu)勢、品種
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SSG
09+
TO-220F
8430
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
更多MURF20010R供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-21 10:20:00

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