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MUN2212T1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

MUN2212T1
廠商型號(hào)

MUN2212T1

參數(shù)屬性

MUN2212T1 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59

功能描述

NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

263.56 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MOTOROLA摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-28 18:50:00

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MUN2212T1規(guī)格書詳情

This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SC–59 package which is designed for low power surface mount applications.

? Simplifies Circuit Design

? Reduces Board Space

? Reduces Component Count

? The SC–59 package can be soldered using wave or reflow. The modified gull–winged leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die.

? Available in 8 mm embossed tape and reel Use the Device Number to order the 7 inch/3000 unit reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MUN2212T1

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 300μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-59

  • 描述:

    TRANS BRT NPN 100MA 50V SC59

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON
0519+
SOT-23
1605
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