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MUN2136T1G分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置規(guī)格書PDF中文資料

MUN2136T1G
廠商型號

MUN2136T1G

參數屬性

MUN2136T1G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置;產品描述:TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

功能描述

Bias Resistor Transistors
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

112.25 Kbytes

頁面數量

13

生產廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網址

網址

數據手冊

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更新時間

2025-8-10 9:22:00

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MUN2136T1G規(guī)格書詳情

MUN2136T1G屬于分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-單預偏置。由安森美半導體公司制造生產的MUN2136T1G晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置預偏置雙極晶體管具有內部電阻器,設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作,并產生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數量,從而可降低項目成本。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    MUN2136T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    250mV @ 300μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SC-59

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
24+
SC-59
6000
進口原裝正品假一賠十,貨期7-10天
詢價
三年內
1983
只做原裝正品
詢價
onsemi
2025+
SC-59-3
55740
詢價
ON
23+
SOT-23
12800
公司只有原裝 歡迎來電咨詢。
詢價
24+
N/A
48000
一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
詢價
ON/安森美
24+
SOT-23
20000
只做正品原裝現貨
詢價
ON
23+
SOT-23
3000
全新原裝正品現貨,支持訂貨
詢價
ON/安森美
21+
SMD
330000
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
詢價
ON/安森美
23+
NA
162000
電子元器件供應原裝現貨. 優(yōu)質獨立分銷。原廠核心渠道
詢價
ON/安森美
25+
25000
原廠原包 深圳現貨 主打品牌 假一賠百 可開票!
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