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MUBW10-12A7分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

MUBW10-12A7

參數(shù)屬性

MUBW10-12A7 封裝/外殼為E2;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MODULE 1200V 20A 105W E2

功能描述

Converter - Brake - Inverter Module (CBI2)
IGBT MODULE 1200V 20A 105W E2

封裝外殼

E2

文件大小

192.93 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-21 14:01:00

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MUBW10-12A7規(guī)格書詳情

MUBW10-12A7屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由艾賽斯制造生產(chǎn)的MUBW10-12A7晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MUBW10-12A7

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 配置:

    三相反相器,帶制動(dòng)器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,10A

  • 輸入:

    三相橋式整流器

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    E2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    E2

  • 描述:

    IGBT MODULE 1200V 20A 105W E2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
IXYS
23+
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