MTW32N20E數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書
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描述 Description
此高級功率 MOSFET 適用于承受雪崩和換相模式下的高能量。新型能效設(shè)計還提供了具有快速恢復(fù)時間的漏極-源極二極管。此類器件專用于電源、轉(zhuǎn)換器和 PWM 電機控制中的低電壓、高速開關(guān)應(yīng)用，尤其適用于二極管速度和換相安全運行區(qū)域非常關(guān)鍵的橋式電路，可針對非預(yù)期的瞬變電壓提供附加安全裕度。
特性 Features
? Avalanche Energy Specified
? Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
? Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
? IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
? Isolated Mounting Hole
? Pb-Free Package is Available
技術(shù)參數(shù)
- 型號：
MTW32N20E
- 功能描述：
MOSFET 200V 32A N-Channel
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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