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MTP3N55中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MTP3N55
廠商型號

MTP3N55

功能描述

Power Field Effect Transistor

文件大小

125.02 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商

NJSEMI New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

網(wǎng)址

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數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-1 17:14:00

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MTP3N55規(guī)格書詳情

Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode

Silicon Gate TWOS

These TMOS Power FETs are designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

? Silicon Gate for Fast Switching Speeds — Switching Times

Specified at 100°C

? Designers Data — IDSS- VGS(on)- VGS(th) and SOA Specified

at Elevated Temperature

? Rugged — SOA is Power Dissipation Limited

? Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MTP3N55

  • 功能描述:

    HIGH VOLTAGE POWER MOSFET N-CHANNEL

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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