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MTP33N10E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=60mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTP33N10E

TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedfor

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP33N10E

N??hannel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP33N10E

N?Channel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTP7508

NELL尼爾
模塊

NELL尼爾

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    MTP33N10E

  • 制造商:

    MOTOROLA

  • 制造商全稱:

    Motorola, Inc

  • 功能描述:

    TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多MTP33N10E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-31 16:22:00