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MTH13N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=13A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTN13N50BFP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTN13N50CFP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

MTN13N50FP

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

NDP13N50

N-ChannelMOSFET500V,13.0A,0.5(ohm)

GeneralDescription TheMDP13N50usesadvancedMagnachip’sMOSFETTechnology,whichprovideslowonstateresistance,highswitchingperformanceandexcellentquality.MDP13N50issuitabledeviceforSMPS,HIDandgeneralpurposeapplications. Features ■VDS=500V ■ID=13.0A@VGS=10V ■R

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

P13N50

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

PJF13N50

500VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES ?13A,500V,RDS(ON)=0.52?@VGS=10V,ID=6.5A ?LowONResistance ?FastSwitching ?LowGateCharge ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ?SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS ?IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PJP13N50

500VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES ?13A,500V,RDS(ON)=0.52?@VGS=10V,ID=6.5A ?LowONResistance ?FastSwitching ?LowGateCharge ?FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent ?SpeciallyDesigenedforACAdapter,BatteryChargeandSMPS ?IncompliancewithEURoHs2002/95/ECDirectives

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

SFP13N50

SiliconN-ChannelMOSFET

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

SFP13N50

SiliconN-ChannelMOSFET

WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

穩(wěn)先微電子深圳市穩(wěn)先微電子有限公司

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更多MTH13N50供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-28 16:17:00

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