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MTD6N10中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MTD6N10
廠商型號

MTD6N10

功能描述

POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE, DPAK FOR SURFACE MOUNT OR INSERTION MOUNT

文件大小

167.55 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商

Motorola

中文名稱

摩托羅拉

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 8:31:00

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MTD6N10規(guī)格書詳情

Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate

DPAK for Surface Mount or Insertion Mount

This TMOS Power FET is designed for high speed, low loss power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and realy drivers.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MTD6N10

  • 制造商:

    MOTOROLA

  • 制造商全稱:

    Motorola, Inc

  • 功能描述:

    POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE, DPAK FOR SURFACE MOUNT OR INSERTION MOUNT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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