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MTD5N10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PJW5N10

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PJW5N10

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@2.5A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PJW5N10A

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@10V,ID@4A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PJW5N10-AU

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

?RDS(ON),VGS@10V,ID@2.5A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

TF5N10

N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET

Description TheTF5N10usesadvancedtrenchtechnology toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This deviceissuitableforuseasaBatteryprotection orinotherSwitchingapplication. GeneralFeatures VDS=100VID=5A RDS(ONty

TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co

拓鋒半導(dǎo)體深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多MTD5N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-24 16:01:00