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MTD4P06I

isc P-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.6Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTD4P06RL

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

PJW4P06A

60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

PJW4P06A

60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

Features ?RDS(ON),VGS@-10V,ID@-4.0A

PANJITPan Jit International Inc.

強(qiáng)茂強(qiáng)茂股份有限公司

MTE020N10BRV8

CYSTECH ELECTRONICS CORP

CYSTECH ELECTRONICS CORP

相關(guān)企業(yè)：天津市博通航睿技術(shù)有限公司

CYSTECH ELECTRONICS CORP

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更多MTD4P06I供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 18:45:00

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