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MTD2955V中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MTD2955V
廠商型號

MTD2955V

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

380.7 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-8 23:00:00

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MTD2955V規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.

These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications.

The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.

特性 Features

? -12 A, -60 V. RDS(ON) = 0.23 ? @ VGS = -10 V

? Low gate charge.

? Fast switching speed.

? High performance technology for low RDS(ON).

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MTD2955V

  • 功能描述:

    MOSFET DISC BY MFG 2/02

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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