MTB15N06V中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
MTB15N06V |
| 功能描述 | TMOS POWER FET 15 AMPERES |
| 文件大小 |
274.79 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
MOTOROLA【摩托羅拉】 |
| 中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-3 20:00:00 |
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MTB15N06V規(guī)格書詳情
TMOS V? Power Field Effect Transistor
N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate
TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM
TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density ofour
50 and 60 volt TMOS devices. Just as with our TMOSE–FET designs, TMOSV is designed to with stand high energy in the avalanche and commutation modes.
New Features of TMOS V
? On–resistance Area Product about One–half that of Standard
MOSFETs with New Low Voltage, Low RDS(on)Technology
? Faster Switching than E–FET Predecessors
Features Common to TMOS V and TMOS E–FETS
? Avalanche Energy Specified
? IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature
? Static Parameters are the Same for both TMOS V and TMOS E–FET
產(chǎn)品屬性
- 型號：
MTB15N06V
- 制造商：
Rochester Electronics LLC
- 功能描述：
- Bulk
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOTOROLA/摩托羅拉 |
25+ |
TO263 |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實單必成 歡迎詢價 |
詢價 | ||
CYSTEK |
24+ |
NA/ |
9250 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
MOTOROLA/摩托羅拉 |
24+ |
TO263 |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
MOTOROLA |
22+ |
TO-263 |
3000 |
原裝正品,支持實單 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA |
30000 |
房間原裝現(xiàn)貨特價熱賣,有單詳談 |
詢價 | ||
MOT |
9740 |
590 |
公司優(yōu)勢庫存 熱賣中! |
詢價 | |||
onsemi(安森美) |
24+ |
- |
7793 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
ON |
24+ |
30000 |
詢價 | ||||
ON/安森美 |
22+ |
NA |
35000 |
原裝現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
21+ |
TO-263 |
60000 |
絕對原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十 |
詢價 |
