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MT4LC4M16R6TG-5	文件：474.53 Kbytes Page：24 Pages	DRAM GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsarearrangedin	MicronMicron Technology 鎂光美國鎂光科技有限公司	Micron
MT4LC4M16R6TG-5	文件：413.1 Kbytes Page：24 Pages	DRAM	MicronMicron Technology 鎂光美國鎂光科技有限公司	Micron
MT4LC4M16R6TG-5S	文件：474.53 Kbytes Page：24 Pages	DRAM GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsarearrangedin	MicronMicron Technology 鎂光美國鎂光科技有限公司	Micron
MT4LC4M16R6TG-5S	文件：413.1 Kbytes Page：24 Pages	DRAM	MicronMicron Technology 鎂光美國鎂光科技有限公司	Micron

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