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MT47H64M8集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

MT47H64M8
廠商型號(hào)

MT47H64M8

參數(shù)屬性

MT47H64M8 封裝/外殼為60-FBGA;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

功能描述

512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM

封裝外殼

60-FBGA

文件大小

2.16176 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

135 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Micron Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MICRON鎂光

中文名稱

美國(guó)鎂光科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-3 19:00:00

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MT47H64M8規(guī)格書詳情

特性 Features

? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V

? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)

? Differential data strobe (DQS, DQS#) option

? 4n-bit prefetch architecture

? Duplicate output strobe (RDQS) option for x8

? DLL to align DQ and DQS transitions with CK

? 4 internal banks for concurrent operation

? Programmable CAS latency (CL)

? Posted CAS additive latency (AL)

? WRITE latency = READ latency - 1 tCK

? Selectable burst lengths: 4 or 8

? Adjustable data-output drive strength

? 64ms, 8192-cycle refresh

? On-die termination (ODT)

? Industrial temperature (IT) option

? RoHS-compliant

? Supports JEDEC clock jitter specification

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MT47H64M8B6-25E IT

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR2

  • 存儲(chǔ)容量:

    512Mb(64M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 95°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    60-FBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    60-FBGA

  • 描述:

    IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Micron/鎂光
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