MT47H64M8集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
MT47H64M8 |
參數(shù)屬性 | MT47H64M8 封裝/外殼為60-FBGA;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA |
功能描述 | 512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM |
封裝外殼 | 60-FBGA |
文件大小 |
2.16176 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
135 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Micron Technology |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
MICRON【鎂光】 |
中文名稱 | 美國(guó)鎂光科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | MICRON |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-3 19:00:00 |
人工找貨 | MT47H64M8價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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MT47H64M8規(guī)格書詳情
特性 Features
? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V
? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
? Differential data strobe (DQS, DQS#) option
? 4n-bit prefetch architecture
? Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
? DLL to align DQ and DQS transitions with CK
? 4 internal banks for concurrent operation
? Programmable CAS latency (CL)
? Posted CAS additive latency (AL)
? WRITE latency = READ latency - 1 tCK
? Selectable burst lengths: 4 or 8
? Adjustable data-output drive strength
? 64ms, 8192-cycle refresh
? On-die termination (ODT)
? Industrial temperature (IT) option
? RoHS-compliant
? Supports JEDEC clock jitter specification
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MT47H64M8B6-25E IT
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器
- 包裝:
管件
- 存儲(chǔ)器類型:
易失
- 存儲(chǔ)器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM - DDR2
- 存儲(chǔ)容量:
512Mb(64M x 8)
- 存儲(chǔ)器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):
15ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.9V
- 工作溫度:
-40°C ~ 95°C(TC)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
60-FBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
60-FBGA
- 描述:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Micron/鎂光 |
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