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MT47H64M16HR-187E:H

DDR2 1G X16 FBGA

Micron

鎂光

MT47H64M16HR-187E:H

Package:84-TFBGA;包裝:托盤 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

ELPIDA

美光科技

MT47H64M16HR-187E:H TR

Package:84-TFBGA;包裝:卷帶(TR) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

ELPIDA

美光科技

MT47H64M16HR-187EAT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features ? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V ? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) ? Differential data strobe (DQS, DQS#) option ? 4n-bit prefetch architecture ? Dup

文件:9.27235 Mbytes 頁數(shù):131 Pages

Micron

鎂光

MT47H64M16HR-187EIT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features ? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V ? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) ? Differential data strobe (DQS, DQS#) option ? 4n-bit prefetch architecture ? Dup

文件:9.27235 Mbytes 頁數(shù):131 Pages

Micron

鎂光

MT47H64M16HR-187EL

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features ? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V ? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) ? Differential data strobe (DQS, DQS#) option ? 4n-bit prefetch architecture ? Dup

文件:9.27235 Mbytes 頁數(shù):131 Pages

Micron

鎂光

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MT47H64M16HR-187E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    DRAM

  • 技術(shù):

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量:

    1Gb(64M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    15ns

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 85°C(TC)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    84-TFBGA

  • 供應商器件封裝:

    84-FBGA(8x12.5)

  • 描述:

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
micron(鎂光)
24+
標準封裝
13048
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
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MICRON
2020+
BGA
18600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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84-FBGA(8x12.5)
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原廠
13+
IC
1
普通
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