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MT47H128M8JN-3:H

Package：60-TFBGA；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

ELPIDA

美光科技

MT47H128M8JN-3AT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features ? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V ? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) ? Differential data strobe (DQS, DQS#) option ? 4n-bit prefetch architecture ? Dup

文件：9.27235 Mbytes 頁數(shù)：131 Pages

Micron

鎂光

MT47H128M8JN-3EAT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features ? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V ? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) ? Differential data strobe (DQS, DQS#) option ? 4n-bit prefetch architecture ? Dup

文件：9.27235 Mbytes 頁數(shù)：131 Pages

Micron

鎂光

MT47H128M8JN-3EIT

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM MT47H256M4 – 32 Meg x 4 x 8 banks MT47H128M8 – 16 Meg x 8 x 8 banks MT47H64M16 – 8 Meg x 16 x 8 banks Features ? VDD = 1.8V ±0.1V, VDDQ = 1.8V ±0.1V ? JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible) ? Differential data strobe (DQS, DQS#) option ? 4n-bit prefetch architecture ? Dup

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Micron

鎂光

MT47H128M8SH-25EAIT:M

Micron/鎂光
FBGA-60

Micron/鎂光

上傳：深圳市興燦科技有限公司

Micron/鎂光

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MT47H128M8JN-3

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    DRAM

  • 技術：

    SDRAM - DDR2

  • 存儲容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 85°C（TC）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    60-TFBGA

  • 供應商器件封裝：

    60-FBGA（8x10）

  • 描述：

    IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MT47H128M8JN-3:H供應商 更新時間2025-8-7 13:58:00

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